新能源汽车用SiC MOSFET关键技术研发取得阶段性进展

        2025年3月4日,国内半导体分立器件领军企业常州银河世纪微电子股份有限公司(以下简称”银河微电”)与复旦大学产学研深度合作再结硕果。双方成功举办”新能源汽车用SiC MOSFET功率器件和模块关键技术研发阶段成果发布会”,标志着银河微电在第三代半导体功率器件领域取得阶段性进展。
       本次发布会汇聚产学研核心力量,银河微电总经理刘军、技术总监郭玉兵、研发中心负责人庄建军携研发核心团队,与复旦大学樊嘉杰研究员领衔的专家团队共同出席。双方围绕碳化硅功率器件的关键技术突破、产业化应用及新能源汽车领域的前沿发展展开深度研讨。
       研发团队在成果汇报中透露在三大核心技术领域取得阶段性成果, 另外,研发团队共同发表了一项发明专利,两篇期刊论文,并积极参与第三代半导体产业技术创新联盟标准制定工作, 为标准的科学性和实用性做出重要贡献,为推动我国第三代半导体产业发展做出积极贡献。
      与会者一致认为,双方的合作前景广阔,未来将继续加强交流与合作,共同推动SiC MOSFET技术的发展,助力新能源汽车行业的蓬勃发展。此次会议不仅为技术的交流搭建了平台,也为未来的合作奠定了坚实的基础。