碳化硅器件是由第三代半导体材料SiC制成的宽禁带器件，具有较高的击穿电压，较低的导通阻抗。银河微电推出650V和1200V碳化硅肖特基二极管，为工程师设计各种应用的功率转换 电路提供了理想的解决方案。

产品特点：

1. 具有比硅更优异的开关特性和更高的可靠性。
2. 低传导损耗，独立于温度的零反向恢复 。
3. Tj高达175°C，高浪涌电流能力 。

应用范围：

5G基建，新能源汽车充电桩及轨道交通等